PowerTrench® N 通道 MOSFET，10A 至 19.9A，Fairchild Semiconductor### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
PowerTrench® N 通道 MOSFET，10A 至 19.9A， Semiconductor
欧时:
### PowerTrench® N 通道 MOSFET，10A 至 19.9A，Fairchild Semiconductor### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 100V 16A 8-Pin Power 56 EP T/R
安富利:
Trans MOSFET N-CH 100V 16A 8-Pin Power 56 T/R
富昌:
FDMS86150 系列 100 V 80 A 4.85 mOhm N-沟道 PowerTrench® MOSFET - Power 56
Verical:
Trans MOSFET N-CH Si 100V 16A 8-Pin Power 56 EP T/R
Win Source:
MOSFET N CH 100V 16A POWER56
DeviceMart:
MOSFET N CH 100V 16A POWER56
极性 N-CH
耗散功率 2.7 W
漏源极电压Vds 100 V
连续漏极电流Ids 16A
上升时间 8.3 ns
输入电容Ciss 4065pF @50VVds
额定功率Max 2.7 W
下降时间 6 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 2.7W Ta, 156W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 Power-33-8
长度 5.1 mm
宽度 6.25 mm
高度 1.05 mm
封装 Power-33-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
FDMS86150 Fairchild 飞兆/仙童 | 当前型号 | 当前型号 |
BSC152N10NSFGATMA1 英飞凌 | 功能相似 | FDMS86150和BSC152N10NSFGATMA1的区别 |