PowerTrench® N 通道 MOSFET，超过 60A，Fairchild Semiconductor### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
PowerTrench® N 通道 MOSFET，超过 60A， Semiconductor
得捷:
MOSFET N-CH 60V 15A TO-263AB
欧时:
### PowerTrench® N 通道 MOSFET，超过 60A，Fairchild Semiconductor### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 60V 80A Automotive 3-Pin2+Tab D2PAK T/R
Verical:
Trans MOSFET N-CH 60V 80A Automotive 3-Pin2+Tab D2PAK T/R
极性 N-CH
耗散功率 175 W
漏源极电压Vds 60 V
连续漏极电流Ids 80A
上升时间 159 ns
输入电容Ciss 3000pF @25VVds
下降时间 35 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 175W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-263-3
长度 10.67 mm
宽度 9.65 mm
高度 4.83 mm
封装 TO-263-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
FDB070AN06A0_F085 Fairchild 飞兆/仙童 | 当前型号 | 当前型号 |
FDB070AN06A0 飞兆/仙童 | 类似代替 | FDB070AN06A0_F085和FDB070AN06A0的区别 |