FDMC2514SDC中文资料参数规格
技术参数
漏源极电阻 0.0025 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 60 W
阈值电压 1.7 V
漏源极电压Vds 25 V
连续漏极电流Ids 24A
上升时间 3.6 ns
输入电容Ciss 2705pF @13VVds
额定功率Max 3 W
下降时间 3 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 3W Ta, 60W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 PQFN-8
外形尺寸
长度 3.3 mm
宽度 3.3 mm
高度 0.95 mm
封装 PQFN-8
物理参数
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
在线购买FDMC2514SDC
型号： FDMC2514SDC
制造商：
Fairchild
飞兆/仙童
描述：PowerTrench® SyncFET™ MOSFET，Fairchild Semiconductor 设计用于尽量减少功率转换的损耗，同时保持极佳的切换性能 高性能通道技术，RDS（接通）极低 SyncFET™ 得益于高效的肖特基主体二极管 应用：同步整流直流-直流转换器、电动机驱动器、网络负载点低侧开关 ### MOSFET 晶体管，Fairchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。