FDP61N20

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FDP61N20概述

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDP61N20  晶体管, MOSFET, N沟道, 61 A, 200 V, 0.034 ohm, 10 V, 5 V

The is a 200V N-channel UniFET™ MOSFET based on planar stripe and DMOS technology. This MOSFET is tailored to reduce on-state resistance and to provide better switching performance and higher avalanche energy strength. The body diode"s reverse recovery performance of UniFET FRFET® MOSFET has been enhanced by lifetime control. Its trr is less than 100ns and the reverse dv/dt immunity is 15V/ns while normal planar MOSFETs have over 200ns and 4.5V/ns respectively. Therefore, it can remove additional component and improve system reliability in certain applications in which the performance of MOSFET"s body diode is significant. This device family is suitable for switching power converter applications such as power factor correction PFC, flat panel display FPD TV power, ATX and electronic lamp ballasts. This product is general usage and suitable for many different applications.

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Low gate charge
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100% Avalanche tested
FDP61N20中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 200 V

额定电流 61.0 A

通道数 1

针脚数 3

漏源极电阻 0.034 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 417 W

阈值电压 5 V

输入电容 3.38 nF

栅电荷 75.0 nC

漏源极电压Vds 200 V

漏源击穿电压 200 V

栅源击穿电压 ±30.0 V

连续漏极电流Ids 6.10 A

上升时间 215 ns

输入电容Ciss 3380pF @25VVds

额定功率Max 417 W

下降时间 170 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 417W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10.67 mm

宽度 4.83 mm

高度 9.4 mm

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买FDP61N20
型号: FDP61N20
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDP61N20  晶体管, MOSFET, N沟道, 61 A, 200 V, 0.034 ohm, 10 V, 5 V
替代型号FDP61N20
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

FDP61N20

Fairchild 飞兆/仙童

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