Trans MOSFET N-CH 900V 4.2A 3Pin3+Tab I2PAK Rail
N-Channel 900 V 4.2A Tc 3.13W Ta, 140W Tc Through Hole I2PAK TO-262
得捷:
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 4
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 900V 4.2A 3-Pin3+Tab I2PAK Tube
安富利:
Trans MOSFET N-CH 900V 4.2A 3-Pin3+Tab I2PAK Rail
Verical:
Trans MOSFET N-CH 900V 4.2A 3-Pin3+Tab I2PAK Tube
Win Source:
MOSFET N-CH 900V 4.2A I2PAK
额定电压DC 900 V
额定电流 4.10 A
通道数 1
漏源极电阻 3.30 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 3.13 W
漏源极电压Vds 900 V
漏源击穿电压 900 V
栅源击穿电压 ±30.0 V
连续漏极电流Ids 4.20 A
上升时间 70 ns
输入电容Ciss 1100pF @25VVds
额定功率Max 3.13 W
下降时间 40 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 3.13W Ta, 140W Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-262-3
宽度 4.5 mm
封装 TO-262-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
FQI4N90TU Fairchild 飞兆/仙童 | 当前型号 | 当前型号 |
FQI4N90 飞兆/仙童 | 功能相似 | FQI4N90TU和FQI4N90的区别 |