FDMS3606AS

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FDMS3606AS概述

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDMS3606AS  双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 30 A, 30 V, 0.0058 ohm, 10 V, 2 V

PowerTrench® SyncFET™ 双 MOSFET, Semiconductor

设计用于尽量减少功率转换的损耗,同时保持极佳的切换性能

高性能通道技术,RDS(接通)极低

SyncFET™ 得益于高效的肖特基主体二极管

应用:同步整流直流-直流转换器、电动机驱动器、网络负载点低侧开关


得捷:
SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI


欧时:
### PowerTrench® SyncFET™ 双 MOSFET,Fairchild Semiconductor设计用于尽量减少功率转换的损耗,同时保持极佳的切换性能 高性能通道技术,RDS(接通)极低 SyncFET™ 得益于高效的肖特基主体二极管 应用:同步整流直流-直流转换器、电动机驱动器、网络负载点低侧开关 ### MOSFET 晶体管,Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。


贸泽:
MOSFET 30V Asymtrc Dual NCh PowerTrench MOSFET


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 30V 13A/27A 8-Pin Power 56 T/R


安富利:
Trans MOSFET N-CH 30V 13A/27A 8-Pin Power 56 T/R


Verical:
Trans MOSFET N-CH 30V 13A/27A 8-Pin Power 56 T/R


FDMS3606AS中文资料参数规格
技术参数

通道数 2

针脚数 8

漏源极电阻 0.0058 Ω

极性 Dual N-Channel

耗散功率 2.2 W

阈值电压 2 V

漏源极电压Vds 30 V

漏源击穿电压 30 V

连续漏极电流Ids 13A/27A

输入电容Ciss 1695pF @15VVds

额定功率Max 1 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 2.2 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 Power-56-8

外形尺寸

长度 5 mm

宽度 6 mm

高度 1.05 mm

封装 Power-56-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

数据手册

在线购买FDMS3606AS
型号: FDMS3606AS
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDMS3606AS  双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 30 A, 30 V, 0.0058 ohm, 10 V, 2 V

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