FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDMS3606AS 双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 30 A, 30 V, 0.0058 ohm, 10 V, 2 V
PowerTrench® SyncFET™ 双 MOSFET, Semiconductor
设计用于尽量减少功率转换的损耗,同时保持极佳的切换性能
高性能通道技术,RDS(接通)极低
SyncFET™ 得益于高效的肖特基主体二极管
应用:同步整流直流-直流转换器、电动机驱动器、网络负载点低侧开关
得捷:
SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
欧时:
### PowerTrench® SyncFET™ 双 MOSFET,Fairchild Semiconductor设计用于尽量减少功率转换的损耗,同时保持极佳的切换性能 高性能通道技术,RDS(接通)极低 SyncFET™ 得益于高效的肖特基主体二极管 应用:同步整流直流-直流转换器、电动机驱动器、网络负载点低侧开关 ### MOSFET 晶体管,Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
贸泽:
MOSFET 30V Asymtrc Dual NCh PowerTrench MOSFET
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 30V 13A/27A 8-Pin Power 56 T/R
安富利:
Trans MOSFET N-CH 30V 13A/27A 8-Pin Power 56 T/R
Verical:
Trans MOSFET N-CH 30V 13A/27A 8-Pin Power 56 T/R
通道数 2
针脚数 8
漏源极电阻 0.0058 Ω
极性 Dual N-Channel
耗散功率 2.2 W
阈值电压 2 V
漏源极电压Vds 30 V
漏源击穿电压 30 V
连续漏极电流Ids 13A/27A
输入电容Ciss 1695pF @15VVds
额定功率Max 1 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 2.2 W
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 Power-56-8
长度 5 mm
宽度 6 mm
高度 1.05 mm
封装 Power-56-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15