FGA30N60LSDTU

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FGA30N60LSDTU中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 480000 mW

击穿电压集电极-发射极 600 V

反向恢复时间 35 ns

额定功率Max 480 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 480000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-3-3

外形尺寸

长度 15.8 mm

宽度 5 mm

高度 18.9 mm

封装 TO-3-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买FGA30N60LSDTU
型号: FGA30N60LSDTU
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:MOSFET和双极型晶体管 MOSFETs and bipolar transistors

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