FDB8443_F085参数规格_中文资料_数据手册PDF_引脚图-锐单商城

FDB8443_F085图片1

FDB8443_F085图片2

FDB8443_F085图片3

FDB8443_F085图片4

FDB8443_F085图片5

FDB8443_F085中文资料参数规格

技术参数

极性 N-CH

耗散功率 188 W

漏源极电压Vds 40 V

连续漏极电流Ids 25A

输入电容Ciss 9310pF @25VVds

额定功率Max 188 W

耗散功率Max 188W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-263-3

外形尺寸

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准无铅

数据手册

在线购买FDB8443_F085

型号： FDB8443_F085

制造商： Fairchild 飞兆/仙童

描述：MOSFET N-CH 40V 25A TO-263AB

替代型号FDB8443_F085

型号/品牌

代替类型

替代型号对比

FDB8443_F085

Fairchild 飞兆/仙童

当前型号

当前型号

SI7456DP

Vishay Intertechnology

功能相似

FDB8443_F085和SI7456DP的区别

SI7456DP-T1

Vishay Intertechnology

功能相似

FDB8443_F085和SI7456DP-T1的区别