FDMC7572S

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FDMC7572S概述

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDMC7572S  晶体管, MOSFET, N沟道, 40 A, 25 V, 0.0025 ohm, 10 V, 1.7 V

PowerTrench® SyncFET™ MOSFET, Semiconductor

设计用于尽量减少功率转换的损耗,同时保持极佳的切换性能

高性能通道技术,RDS(接通)极低

SyncFET™ 得益于高效的肖特基主体二极管

应用:同步整流直流-直流转换器、电动机驱动器、网络负载点低侧开关


得捷:
MOSFET N-CH 25V 22.5A/40A PWR33


欧时:
Fairchild Semiconductor N沟道 MOSFET 晶体管 FDMC7572S, 100 A, Vds=25 V, 8引脚 Power 33封装


贸泽:
MOSFET 25V 40A 3.2mOhm N-Ch PowerTrench SyncFET


e络盟:
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDMC7572S  晶体管, MOSFET, N沟道, 40 A, 25 V, 0.0025 ohm, 10 V, 1.7 V


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 25V 22.5A 8-Pin Power 33 T/R


安富利:
Trans MOSFET N-CH 25V 22.5A 8-Pin Power 33 T/R


富昌:
N-Channel 25 V 0.00315 ohm Surface Mount PowerTrench SyncFET Mosfet Power 33


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 25V 22.5A 8-Pin Power 33 T/R


Verical:
Trans MOSFET N-CH Si 25V 22.5A 8-Pin Power 33 T/R


Newark:
# FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDMC7572S  MOSFET Transistor, N Channel, 40 A, 25 V, 0.0025 ohm, 10 V, 1.7 V


DeviceMart:
MOSFET N-CH 25V 40A POWER33


Win Source:
MOSFET N-CH 25V 40A POWER33


FDMC7572S中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

针脚数 8

漏源极电阻 0.0025 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 52 W

阈值电压 1.7 V

漏源极电压Vds 25 V

漏源击穿电压 25 V

连续漏极电流Ids 22.5A

上升时间 3.6 ns

输入电容Ciss 2705pF @13VVds

额定功率Max 2.3 W

下降时间 3 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 2.3W Ta, 52W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 Power-33-8

外形尺寸

长度 3.4 mm

宽度 3.4 mm

高度 1 mm

封装 Power-33-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

数据手册

在线购买FDMC7572S
型号: FDMC7572S
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDMC7572S  晶体管, MOSFET, N沟道, 40 A, 25 V, 0.0025 ohm, 10 V, 1.7 V

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