FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDMC7572S 晶体管, MOSFET, N沟道, 40 A, 25 V, 0.0025 ohm, 10 V, 1.7 V
PowerTrench® SyncFET™ MOSFET, Semiconductor
设计用于尽量减少功率转换的损耗,同时保持极佳的切换性能
高性能通道技术,RDS(接通)极低
SyncFET™ 得益于高效的肖特基主体二极管
应用:同步整流直流-直流转换器、电动机驱动器、网络负载点低侧开关
得捷:
MOSFET N-CH 25V 22.5A/40A PWR33
欧时:
Fairchild Semiconductor N沟道 MOSFET 晶体管 FDMC7572S, 100 A, Vds=25 V, 8引脚 Power 33封装
贸泽:
MOSFET 25V 40A 3.2mOhm N-Ch PowerTrench SyncFET
e络盟:
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDMC7572S 晶体管, MOSFET, N沟道, 40 A, 25 V, 0.0025 ohm, 10 V, 1.7 V
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 25V 22.5A 8-Pin Power 33 T/R
安富利:
Trans MOSFET N-CH 25V 22.5A 8-Pin Power 33 T/R
富昌:
N-Channel 25 V 0.00315 ohm Surface Mount PowerTrench SyncFET Mosfet Power 33
Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 25V 22.5A 8-Pin Power 33 T/R
Verical:
Trans MOSFET N-CH Si 25V 22.5A 8-Pin Power 33 T/R
Newark:
# FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDMC7572S MOSFET Transistor, N Channel, 40 A, 25 V, 0.0025 ohm, 10 V, 1.7 V
DeviceMart:
MOSFET N-CH 25V 40A POWER33
Win Source:
MOSFET N-CH 25V 40A POWER33
通道数 1
针脚数 8
漏源极电阻 0.0025 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 52 W
阈值电压 1.7 V
漏源极电压Vds 25 V
漏源击穿电压 25 V
连续漏极电流Ids 22.5A
上升时间 3.6 ns
输入电容Ciss 2705pF @13VVds
额定功率Max 2.3 W
下降时间 3 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 2.3W Ta, 52W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 Power-33-8
长度 3.4 mm
宽度 3.4 mm
高度 1 mm
封装 Power-33-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15