FDB045AN08A0参数规格_中文资料_数据手册PDF

FDB045AN08A0概述

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDB045AN08A0 晶体管, MOSFET, N沟道, 80 A, 75 V, 4.5 mohm, 10 V, 4 V

The is a N-channel MOSFET produced using Semiconductor"s advanced PowerTrench® process. It is suitable for use in synchronous rectification for ATX/server/telecom PSU and battery protection circuit.

.: Low miller charge

.: Low Qrr body diode

.: UIS Capability single pulse and repetitive pulse

FDB045AN08A0中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 75.0 V

额定电流 19.0 A

通道数 1

针脚数 3

漏源极电阻 4.5 mΩ

极性 N-Channel

耗散功率 310 W

阈值电压 4 V

输入电容 6.60 nF

栅电荷 92.0 nC

漏源极电压Vds 75 V

漏源击穿电压 75.0 V

栅源击穿电压 ±20.0 V

连续漏极电流Ids 80.0 A

上升时间 88 ns

输入电容Ciss 6600pF @25VVds

额定功率Max 310 W

下降时间 45 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 310W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-263-3

外形尺寸

长度 10.67 mm

宽度 9.65 mm

高度 4.83 mm

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买FDB045AN08A0

型号： FDB045AN08A0

制造商： Fairchild 飞兆/仙童

描述：FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDB045AN08A0 晶体管, MOSFET, N沟道, 80 A, 75 V, 4.5 mohm, 10 V, 4 V

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替代型号FDB045AN08A0

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
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