FDP085N10A_F102

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FDP085N10A_F102概述

PowerTrench® N 通道 MOSFET,超过 60A,Fairchild Semiconductor### MOSFET 晶体管,Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。

PowerTrench® N 通道 MOSFET,超过 60A, Semiconductor


得捷:
MOSFET N-CH 100V 96A TO-220-3


欧时:
Fairchild Semiconductor N沟道 MOSFET 晶体管 FDP085N10A_F102, 96 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220封装


贸泽:
MOSFET 100V N-CHANNEL POWERTRENCH MOSFET


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 100V 96A 3-Pin3+Tab TO-220 Tube


富昌:
N-Channel 100 V 96 A 8.5 mOhm PowerTrench® Mosfet - TO-220-3


Verical:
Trans MOSFET N-CH 100V 96A 3-Pin3+Tab TO-220 Tube


Win Source:
MOSFET N-CH 100V 96A TO-220-3


FDP085N10A_F102中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

漏源极电阻 7.35 mΩ

极性 N-CH

耗散功率 188 W

阈值电压 4 V

漏源极电压Vds 100 V

漏源击穿电压 100 V

连续漏极电流Ids 96A

上升时间 22 ns

输入电容Ciss 2695pF @50VVds

额定功率Max 188 W

下降时间 8 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 188 W

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10.36 mm

宽度 4.672 mm

高度 15.215 mm

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买FDP085N10A_F102
型号: FDP085N10A_F102
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:PowerTrench® N 通道 MOSFET,超过 60A,Fairchild Semiconductor ### MOSFET 晶体管,Fairchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
替代型号FDP085N10A_F102
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

FDP085N10A_F102

Fairchild 飞兆/仙童

当前型号

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STP130N10F3

意法半导体

功能相似

FDP085N10A_F102和STP130N10F3的区别

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