PowerTrench® N 通道 MOSFET,超过 60A,Fairchild Semiconductor### MOSFET 晶体管,Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
N-Channel 150 V 92A Tc 234W Tc Surface Mount D²PAK TO-263
得捷:
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 9
欧时:
### PowerTrench® N 通道 MOSFET,超过 60A,Fairchild Semiconductor### MOSFET 晶体管,Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 150V 92A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R
富昌:
MOSFET 150V N-Channel PowerTrench MOSFET
Verical:
Trans MOSFET N-CH 150V 92A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R
Newark:
# FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDB110N15A MOSFET Transistor, N Channel, 92 A, 150 V, 0.011 ohm, 10 V, 2 V
DeviceMart:
MOSFET N-CH 150V 92A D2PAK
Win Source:
MOSFET N-CH 150V 92A D2PAK
漏源极电阻 0.011 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 234 W
阈值电压 2 V
漏源极电压Vds 150 V
连续漏极电流Ids 92A
上升时间 26 ns
输入电容Ciss 4510pF @75VVds
额定功率Max 234 W
下降时间 14 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 234W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-263-3
长度 10.67 mm
宽度 9.65 mm
高度 4.83 mm
封装 TO-263-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/06/15