FDB050AN06A0

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FDB050AN06A0中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 60.0 V

额定电流 80.0 A

通道数 1

漏源极电阻 4.30 mΩ

极性 N-Channel

耗散功率 245 W

输入电容 3.90 nF

栅电荷 61.0 nC

漏源极电压Vds 60 V

漏源击穿电压 60.0 V

栅源击穿电压 ±20.0 V

连续漏极电流Ids 80.0 A

上升时间 160 ns

输入电容Ciss 3900pF @25VVds

额定功率Max 245 W

下降时间 29 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 245W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-263-3

外形尺寸

长度 10.67 mm

宽度 9.65 mm

高度 4.83 mm

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买FDB050AN06A0
型号: FDB050AN06A0
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:PowerTrench® N 通道 MOSFET,超过 60A,Fairchild Semiconductor ### MOSFET 晶体管,Fairchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
替代型号FDB050AN06A0
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

FDB050AN06A0

Fairchild 飞兆/仙童

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NTB75N06T4G

安森美

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