FQPF85N06参数规格_中文资料_数据手册PDF

FQPF85N06中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 60.0 V

额定电流 53.0 A

针脚数 3

漏源极电阻 10 mΩ

极性 N-Channel

耗散功率 62 W

阈值电压 4 V

漏源极电压Vds 60 V

漏源击穿电压 60.0 V

栅源击穿电压 ±25.0 V

连续漏极电流Ids 53.0 A

输入电容Ciss 4120pF @25VVds

额定功率Max 62 W

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 62W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10.16 mm

宽度 4.7 mm

高度 9.19 mm

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买FQPF85N06

型号： FQPF85N06

制造商： Fairchild 飞兆/仙童

描述：FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FQPF85N06 晶体管, MOSFET, N沟道, 53 A, 60 V, 10 mohm, 10 V, 4 V

替代型号FQPF85N06