PowerTrench® 四 SyncFET™ MOSFET,Fairchild SemiconductorPowerTrench® MOSFET 是优化的电源开关,可提高系统效率和功率密度。 它们组合了小栅极电荷 Qg、小反向恢复电荷 Qrr 和软性反向恢复主体二极管,有助于快速切换交流/直流电源中的同步整流。 最新的 PowerTrench® MOSFET 采用屏蔽栅极结构,可提供电荷平衡。 利用这一先进技术,这些设备的 FOM(品质因素)显著低于前一代的 FOM。 PowerTrench® MOSFET 的软性主体二极管性能可无需缓冲电路或替换更高额定电压的 MOSFET。### MOSFET 晶体管,Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
Mosfet Array 4 N-Channel H-Bridge 100V 3.1A 1.9W Surface Mount 12-MLP 5x4.5
得捷:
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 100V 3.1A 12-Pin MLP EP T/R
安富利:
Trans MOSFET N-CH 100V 3.1A 12-Pin MLP EP T/R
Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 100V 3.1A 12-Pin MLP EP T/R
Verical:
Trans MOSFET N-CH Si 100V 3.1A 12-Pin MLP EP T/R
Win Source:
MOSFET 4N-CH 100V 3.1A 12-MLP
DeviceMart:
MOSFET N-CH 100V 6A 12-MLP
极性 N-CH
耗散功率 1.9 W
漏源极电压Vds 100 V
连续漏极电流Ids 3.1A
上升时间 1.2 ns
输入电容Ciss 215pF @15VVds
额定功率Max 1.9 W
下降时间 1.8 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 17 W
安装方式 Surface Mount
引脚数 12
封装 WDFN-12
长度 5 mm
宽度 4.5 mm
高度 0.75 mm
封装 WDFN-12
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free