FDP8441中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 40.0 V
额定电流 80.0 A
漏源极电阻 0.0047 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 300 W
阈值电压 2.8 V
输入电容 15.0 nF
栅电荷 280 nC
漏源极电压Vds 40 V
漏源击穿电压 40.0 V
连续漏极电流Ids 80.0 A
上升时间 24.0 ns
输入电容Ciss 15000pF @25VVds
额定功率Max 300 W
工作温度Max 175 ℃
耗散功率Max 300W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
外形尺寸
封装 TO-220-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
海关信息
ECCN代码 EAR99
在线购买FDP8441
型号： FDP8441
制造商：
Fairchild
飞兆/仙童
描述：N沟道PowerTrench MOSFET的（ 40V ， 80A ， 2.7mohm ） N-Channel PowerTrench MOSFET 40V, 80A, 2.7mohm
替代型号FDP8441
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
FDP8441 Fairchild 飞兆/仙童 | 当前型号 | 当前型号 |
FDP8441_F085 飞兆/仙童 | 类似代替 | FDP8441和FDP8441_F085的区别 |