FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDS4953 双路场效应管, MOSFET, 双P沟道, -5 A, -30 V, 55 mohm, -10 V, -1.7 V
Mosfet Array 2 P-Channel Dual 30V 5A 900mW Surface Mount 8-SOIC
得捷:
P-CHANNEL POWER MOSFET
欧时:
Trans MOSFET P-CH 30V 5A 8-Pin SOIC
贸泽:
MOSFET SO-8 P-CH DUAL -30V
e络盟:
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDS4953 双路场效应管, MOSFET, 双P沟道, -5 A, -30 V, 55 mohm, -10 V, -1.7 V
艾睿:
Trans MOSFET P-CH 30V 5A 8-Pin SOIC N T/R
Verical:
Trans MOSFET P-CH 30V 5A 8-Pin SOIC N T/R
Win Source:
MOSFET 2P-CH 30V 5A 8SOIC
额定电压DC -30.0 V
额定电流 -5.00 A
通道数 2
针脚数 8
漏源极电阻 55 mΩ
极性 P-Channel, Dual P-Channel
耗散功率 2 W
输入电容 528 pF
栅电荷 6.00 nC
漏源极电压Vds 30 V
漏源击穿电压 30 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids -5.00 A
上升时间 13 ns
输入电容Ciss 528pF @15VVds
额定功率Max 900 mW
下降时间 9 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 2 W
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
长度 5 mm
宽度 4 mm
高度 1.5 mm
封装 SOIC-8
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
FDS4953 Fairchild 飞兆/仙童 | 当前型号 | 当前型号 |
SI4435DY 飞兆/仙童 | 类似代替 | FDS4953和SI4435DY的区别 |
NDS9953A 飞兆/仙童 | 类似代替 | FDS4953和NDS9953A的区别 |
NDS9947 飞兆/仙童 | 类似代替 | FDS4953和NDS9947的区别 |