FDB8442_F085中文资料参数规格
技术参数
通道数 1
漏源极电阻 2.1 mΩ
极性 N-CH
耗散功率 254 W
漏源极电压Vds 40 V
漏源击穿电压 40 V
连续漏极电流Ids 80A
上升时间 19.3 ns
输入电容Ciss 12200pF @25VVds
额定功率Max 254 W
下降时间 17.2 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 254W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-263-3
外形尺寸
长度 10.67 mm
宽度 9.65 mm
高度 4.83 mm
封装 TO-263-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
在线购买FDB8442_F085
型号： FDB8442_F085
制造商：
Fairchild
飞兆/仙童
描述：Trans MOSFET N-CH 40V 80A Automotive 3Pin2+Tab D2PAK T/R
替代型号FDB8442_F085
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
FDB8442_F085 Fairchild 飞兆/仙童 | 当前型号 | 当前型号 |
FDB8442-F085 安森美 | 功能相似 | FDB8442_F085和FDB8442-F085的区别 |