FDB150N10

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FDB150N10中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

耗散功率 110 W

漏源极电压Vds 100 V

连续漏极电流Ids 57A

上升时间 164 ns

输入电容Ciss 4760pF @25VVds

额定功率Max 110 W

下降时间 83 ns

耗散功率Max 110W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-263-3

外形尺寸

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买FDB150N10
型号: FDB150N10
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:N沟道MOSFET PowerTrench㈢ 100V , 57A , 15米ヘ N-Channel PowerTrench㈢ MOSFET 100V, 57A, 15mヘ
替代型号FDB150N10
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

FDB150N10

Fairchild 飞兆/仙童

当前型号

当前型号

IPB16CN10NG

英飞凌

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FDB150N10和IPB16CN10NG的区别

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