FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDB2532 晶体管, MOSFET, N沟道, 33 A, 150 V, 0.014 ohm, 10 V, 4 V
The is a PowerTrench® N-channel MOSFET suitable for synchronous rectification, battery protection circuit, uninterruptible power supplies and micro solar inverter.
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- Low miller charge
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- Low Qrr body diode
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- UIS Capability single pulse and repetitive pulse
额定电压DC 150 V
额定电流 79.0 A
额定功率 310 W
针脚数 3
漏源极电阻 0.014 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 310 W
阈值电压 4 V
输入电容 5.87 nF
栅电荷 82.0 nC
漏源极电压Vds 150 V
漏源击穿电压 150 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 79.0 A
上升时间 30 ns
输入电容Ciss 5870pF @25VVds
额定功率Max 310 W
下降时间 17 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 310W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-263-3
长度 10.67 mm
宽度 11.33 mm
高度 4.83 mm
封装 TO-263-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
FDB2532 Fairchild 飞兆/仙童 | 当前型号 | 当前型号 |
NTB35N15T4G 安森美 | 功能相似 | FDB2532和NTB35N15T4G的区别 |
NTB35N15T4 安森美 | 功能相似 | FDB2532和NTB35N15T4的区别 |