FDB120N10

FDB120N10图片1
FDB120N10图片2
FDB120N10图片3
FDB120N10图片4
FDB120N10图片5
FDB120N10图片6
FDB120N10图片7
FDB120N10图片8
FDB120N10图片9
FDB120N10图片10
FDB120N10中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

耗散功率 170 W

漏源极电压Vds 100 V

连续漏极电流Ids 74A

上升时间 105 ns

输入电容Ciss 5605pF @25VVds

额定功率Max 170 W

下降时间 15 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 170W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-263-3

外形尺寸

长度 10.67 mm

宽度 9.65 mm

高度 4.5 mm

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买FDB120N10
型号: FDB120N10
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:PowerTrench® N 通道 MOSFET,超过 60A,Fairchild Semiconductor ### MOSFET 晶体管,Fairchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
替代型号FDB120N10
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

FDB120N10

Fairchild 飞兆/仙童

当前型号

当前型号

BUK7610-100B,118

恩智浦

功能相似

FDB120N10和BUK7610-100B,118的区别

PSMN015-100B,118

恩智浦

功能相似

FDB120N10和PSMN015-100B,118的区别

PHB27NQ10T,118

恩智浦

功能相似

FDB120N10和PHB27NQ10T,118的区别

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台