FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDP150N10 晶体管, MOSFET, N沟道, 57 A, 100 V, 0.012 ohm, 10 V, 2.5 V
The is a N-channel MOSFET produced using Semiconductor"s advanced PowerTrench® process. It has been tailored to minimize the ON-state resistance while maintaining superior switching performance. It is suitable for use in synchronous rectification for ATX/server/telecom PSU, battery protection circuit and uninterruptible power supplies.
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- Fast switching speed
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- Low gate charge
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- High performance Trench technology for extremely low RDS ON
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- High power and current handling capability
通道数 1
针脚数 3
漏源极电阻 0.012 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 110 W
阈值电压 2.5 V
漏源极电压Vds 100 V
漏源击穿电压 100 V
连续漏极电流Ids 57A
上升时间 164 ns
输入电容Ciss 4760pF @25VVds
额定功率Max 110 W
下降时间 83 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 110W Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
长度 10.67 mm
宽度 4.83 mm
高度 16.51 mm
封装 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
FDP150N10 Fairchild 飞兆/仙童 | 当前型号 | 当前型号 |
FDP150N10A-F102 飞兆/仙童 | 功能相似 | FDP150N10和FDP150N10A-F102的区别 |
IPP16CN10LG 英飞凌 | 功能相似 | FDP150N10和IPP16CN10LG的区别 |