FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FQA10N80C_F109 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 10 A, 800 V, 0.93 ohm, 10 V, 5 V
QFET® N 通道 MOSFET,6A 至 10.9A, Semiconductor
Fairchild Semiconductor 的新型 QFET® 平面 MOSFET 使用先进的专利技术为广泛的应用提供最佳的工作性能,包括电源、PFC(功率因数校正)、直流-直流转换器、等离子显示面板 PDP、照明镇流器和运动控制。
它们通过降低导通电阻 RDSon 来减少通态损耗,并通过降低栅极电荷 Qg 和输出电容 Coss 来减少切换损耗。 通过使用先进的 QFET® 工艺技术,Fairchild 可提供比竞争平面 MOSFET 设备更高的品质因素 FOM。
得捷:
MOSFET N-CH 800V 10A TO-3P
欧时:
### QFET® N 通道 MOSFET,6A 至 10.9A,Fairchild SemiconductorFairchild Semiconductor 的新型 QFET® 平面 MOSFET 使用先进的专利技术为广泛的应用提供最佳的工作性能,包括电源、PFC(功率因数校正)、直流-直流转换器、等离子显示面板 PDP、照明镇流器和运动控制。 它们通过降低导通电阻 RDSon 来减少通态损耗,并通过降低栅极电荷 Qg 和输出电容 Coss 来减少切换损耗。 通过使用先进的 QFET® 工艺技术,Fairchild 可提供比竞争平面 MOSFET 设备更高的品质因素 FOM。### MOSFET 晶体管,Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 800V 10A 3-Pin3+Tab TO-3PN Rail
安富利:
Trans MOSFET N-CH 800V 10A 3-Pin3+Tab TO-3PN Rail
富昌:
N-Channel 800 V 10 A 1.1 Ohm QFET® Mosfet - TO-3PN
Verical:
Trans MOSFET N-CH 800V 10A 3-Pin3+Tab TO-3PN Rail
Newark:
# FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FQA10N80C_F109 Power MOSFET, N Channel, 10 A, 800 V, 0.93 ohm, 10 V, 5 V
Win Source:
MOSFET N-CH 800V 10A TO-3P
DeviceMart:
MOSFET N-CH 800V 10A TO-3P
通道数 1
针脚数 3
漏源极电阻 0.93 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 240 W
阈值电压 5 V
漏源极电压Vds 800 V
漏源击穿电压 800 V
连续漏极电流Ids 10A
上升时间 130 ns
输入电容Ciss 2800pF @25VVds
额定功率Max 240 W
下降时间 80 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 240W Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-3-3
长度 15.8 mm
宽度 5 mm
高度 18.9 mm
封装 TO-3-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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FQA10N80C_F109 Fairchild 飞兆/仙童 | 当前型号 | 当前型号 |
FQA10N80C 飞兆/仙童 | 类似代替 | FQA10N80C_F109和FQA10N80C的区别 |