P 通道 MOSFET,Fairchild SemiconductorFairchild Semiconductor 提供的解决方案可解决汽车市场的复杂难题,具有严谨的质量控制、安全和可靠性标准。### MOSFET 晶体管,Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
汽车 P 通道 MOSFET, Semiconductor
Fairchild Semiconductor 提供的解决方案可解决汽车市场的复杂难题,具有严谨的质量控制、安全和可靠性标准。
### MOSFET ,Fairchild Semiconductor
Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 >250V 低电压 <250V 类型。 先进的硅技术提供更小的芯片尺寸,其整合到多种工业标准和耐热增强型封装中。
Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
极性 P-CH
耗散功率 3.75 W
漏源极电压Vds 100 V
连续漏极电流Ids 33.5A
上升时间 250 ns
输入电容Ciss 2910pF @25VVds
下降时间 210 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 3.75W Ta, 155W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-263-3
长度 10.67 mm
宽度 9.65 mm
高度 4.83 mm
封装 TO-263-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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FQB34P10TM_F085 Fairchild 飞兆/仙童 | 当前型号 | 当前型号 |
FQB34P10 飞兆/仙童 | 类似代替 | FQB34P10TM_F085和FQB34P10的区别 |
FQB34P10TM 飞兆/仙童 | 功能相似 | FQB34P10TM_F085和FQB34P10TM的区别 |