FDMS015N04B

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FDMS015N04B概述

PowerTrench® N 通道 MOSFET,超过 60A,Fairchild Semiconductor### MOSFET 晶体管,Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。

PowerTrench® N 通道 MOSFET,超过 60A, Semiconductor


得捷:
MOSFET N-CH 40V 31.3A/100A 8PQFN


欧时:
### PowerTrench® N 通道 MOSFET,超过 60A,Fairchild Semiconductor### MOSFET 晶体管,Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。


贸泽:
MOSFET NCh40V100A,1.5m ohms PowerTrench MOSFET


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 40V 31.3A 8-Pin Power 56 T/R


Verical:
Trans MOSFET N-CH 40V 31.3A 8-Pin Power 56 T/R


Win Source:
MOSFET N-CH 40V 31.3A 8-PQFN


DeviceMart:
MOSFET N-CH 40V 31.3A 8-PQFN


FDMS015N04B中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

耗散功率 2.5 W

漏源极电压Vds 40 V

连续漏极电流Ids 31.3A

输入电容Ciss 8725pF @20VVds

额定功率Max 2.5 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 2.5W Ta, 104W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 Power-56-8

外形尺寸

长度 5 mm

宽度 6 mm

高度 1.05 mm

封装 Power-56-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买FDMS015N04B
型号: FDMS015N04B
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:PowerTrench® N 通道 MOSFET,超过 60A,Fairchild Semiconductor ### MOSFET 晶体管,Fairchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。

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