FDB15N50中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 500 V
额定电流 15.0 A
额定功率 300 W
针脚数 3
漏源极电阻 0.33 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 300 W
阈值电压 3.4 V
输入电容 1.85 nF
栅电荷 33.0 nC
漏源极电压Vds 500 V
漏源击穿电压 500 V
栅源击穿电压 ±30.0 V
连续漏极电流Ids 15.0 A
上升时间 5.4 ns
输入电容Ciss 1850pF @25VVds
额定功率Max 300 W
下降时间 5 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 300 W
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-263-3
外形尺寸
长度 10.67 mm
宽度 11.33 mm
高度 4.83 mm
封装 TO-263-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
海关信息
ECCN代码 EAR99
在线购买FDB15N50
型号： FDB15N50
制造商：
Fairchild
飞兆/仙童
描述：FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDB15N50 晶体管, MOSFET, N沟道, 15 A, 500 V, 0.33 ohm, 10 V, 3.4 V
替代型号FDB15N50
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
FDB15N50 Fairchild 飞兆/仙童 | 当前型号 | 当前型号 |
FDB15N50_NL 飞兆/仙童 | 功能相似 | FDB15N50和FDB15N50_NL的区别 |