FDMS3662 系列 100 V 14.8 mOhm N 沟道 Power Trench Mosfet - Power 56
N-Channel 100 V 8.9A Ta, 39A Tc 2.5W Ta, 104W Tc Surface Mount Power56
得捷:
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 8
e络盟:
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDMS3662 MOSFET, N CHANNEL, 100V, 0.0114OHM, 49A, POWER 56-8
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 100V 8.9A 8-Pin Power 56 T/R
富昌:
FDMS3662 系列 100 V 14.8 mOhm N 沟道 Power Trench Mosfet - Power 56
Verical:
Trans MOSFET N-CH Si 100V 8.9A 8-Pin Power 56 T/R
Newark:
# FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDMS3662 MOSFET Transistor, N Channel, 49 A, 100 V, 0.0114 ohm, 10 V, 3.5 V
Win Source:
MOSFET N-CH 100V 8.9A POWER56
DeviceMart:
MOSFET N-CH 100V 8.9A POWER56
针脚数 8
漏源极电阻 0.0114 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 104 W
阈值电压 3.5 V
漏源极电压Vds 100 V
连续漏极电流Ids 8.9A
上升时间 15 ns
输入电容Ciss 4620pF @50VVds
额定功率Max 2.5 W
下降时间 6 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 2.5W Ta, 104W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 Power-56
长度 5 mm
宽度 6 mm
高度 1.05 mm
封装 Power-56
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
---|---|---|
FDMS3662 Fairchild 飞兆/仙童 | 当前型号 | 当前型号 |
IRFH5210TRPBF 英飞凌 | 功能相似 | FDMS3662和IRFH5210TRPBF的区别 |
BSC160N10NS3GATMA1 英飞凌 | 功能相似 | FDMS3662和BSC160N10NS3GATMA1的区别 |
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