PowerTrench® N 通道 MOSFET，10A 至 19.9A，Fairchild Semiconductor### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
The is a N-channel MOSFET produced using Semiconductor"s PowerTrench® process. It is suitable for use in synchronous rectification for ATX/server/telecom PSU, battery protection circuit and uninterruptible power supplies.
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- Low Miller charge
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- Low Qrr body diode
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- UIS Capability single pulse and repetitive pulse
额定电压DC 75.0 V
额定电流 80.0 A
针脚数 3
漏源极电阻 0.0048 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 255 W
阈值电压 4 V
输入电容 5.15 nF
栅电荷 73.0 nC
漏源极电压Vds 75 V
漏源击穿电压 75.0 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 80.0 A
上升时间 79 ns
输入电容Ciss 5150pF @25VVds
额定功率Max 255 W
下降时间 38 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 255W Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
长度 10.67 mm
宽度 4.83 mm
高度 9.4 mm
封装 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
FDP060AN08A0 Fairchild 飞兆/仙童 | 当前型号 | 当前型号 |
IRFB3077PBF 英飞凌 | 功能相似 | FDP060AN08A0和IRFB3077PBF的区别 |
STP140NF75 意法半导体 | 功能相似 | FDP060AN08A0和STP140NF75的区别 |
IPP057N08N3GXKSA1 英飞凌 | 功能相似 | FDP060AN08A0和IPP057N08N3GXKSA1的区别 |