FDB5800_F085

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FDB5800_F085中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

耗散功率 242 W

漏源极电压Vds 60 V

连续漏极电流Ids 80A

上升时间 22 ns

输入电容Ciss 6625pF @15VVds

下降时间 12.1 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 242W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-263-3

外形尺寸

长度 10.67 mm

宽度 9.65 mm

高度 4.83 mm

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买FDB5800_F085
型号: FDB5800_F085
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3Pin2+Tab D2PAK T/R
替代型号FDB5800_F085
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