PowerTrench® N 通道 MOSFET,超过 60A,Fairchild Semiconductor### MOSFET 晶体管,Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
PowerTrench® N 通道 MOSFET,超过 60A, Semiconductor
得捷:
MOSFET N-CH 40V 80A D2PAK
欧时:
### PowerTrench® N 通道 MOSFET,超过 60A,Fairchild Semiconductor### MOSFET 晶体管,Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 40V 80A Automotive 3-Pin2+Tab D2PAK T/R
安富利:
Trans MOSFET N-CH 40V 80A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R
Verical:
Trans MOSFET N-CH 40V 80A Automotive 3-Pin2+Tab D2PAK T/R
Win Source:
MOSFET N-CH 40V 80A D2PAK
通道数 1
极性 N-CH
耗散功率 300 W
漏源极电压Vds 40 V
连续漏极电流Ids 80A
上升时间 24 ns
输入电容Ciss 15000pF @25VVds
下降时间 17.9 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 300W Tc
安装方式 Surface Mount
封装 TO-252-3
长度 10.67 mm
宽度 9.65 mm
高度 4.83 mm
封装 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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FDB8441_F085 Fairchild 飞兆/仙童 | 当前型号 | 当前型号 |
FDB8441 飞兆/仙童 | 功能相似 | FDB8441_F085和FDB8441的区别 |
STB150NF04 意法半导体 | 功能相似 | FDB8441_F085和STB150NF04的区别 |
SPB80N04S2-04 英飞凌 | 功能相似 | FDB8441_F085和SPB80N04S2-04的区别 |