FDMS86181

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FDMS86181中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

漏源极电阻 12 mΩ

极性 N-CH

耗散功率 125 W

阈值电压 2 V

漏源极电压Vds 100 V

漏源击穿电压 100 V

连续漏极电流Ids 44A

上升时间 9 ns

输入电容Ciss 4125pF @50VVds

下降时间 6 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 55 ℃

耗散功率Max 2.5W Ta, 125W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 Power-56-8

外形尺寸

长度 6 mm

宽度 5 mm

高度 1.1 mm

封装 Power-56-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

数据手册

在线购买FDMS86181
型号: FDMS86181
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:Trans MOSFET N-CH 100V 44A 8Pin Power 56 EP T/R

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