LOGIC 200V N沟道MOSFET 200V LOGIC N-Channel MOSFET
N-Channel 200V 34A Tc 210W Tc Through Hole TO-3P
得捷:
MOSFET N-CH 200V 34A TO3P
立创商城:
N沟道 200V 34A
贸泽:
MOSFET 200V N-Ch QFET Logic Level
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 200V 34A 3-Pin3+Tab TO-3P
Win Source:
MOSFET N-CH 200V 34A TO-3P
额定电压DC 200 V
额定电流 34.0 A
漏源极电阻 75.0 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 210 W
漏源极电压Vds 200 V
漏源击穿电压 200 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 34.0 A
上升时间 520 ns
输入电容Ciss 3900pF @25VVds
额定功率Max 210 W
下降时间 370 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 210W Tc
安装方式 Through Hole
封装 TO-3-3
长度 16.2 mm
宽度 5 mm
高度 20.1 mm
封装 TO-3-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
FQA34N20L Fairchild 飞兆/仙童 | 当前型号 | 当前型号 |
STD18N55M5 意法半导体 | 功能相似 | FQA34N20L和STD18N55M5的区别 |
STD6N95K5 意法半导体 | 功能相似 | FQA34N20L和STD6N95K5的区别 |
FQA24N60 安森美 | 功能相似 | FQA34N20L和FQA24N60的区别 |