FQA90N08

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FQA90N08中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 80.0 V

额定电流 90.0 A

漏源极电阻 16.0 mΩ

极性 N-Channel

耗散功率 214 W

漏源极电压Vds 80 V

漏源击穿电压 80.0 V

栅源击穿电压 ±25.0 V

连续漏极电流Ids 63.5 A

上升时间 360 ns

输入电容Ciss 3250pF @25VVds

额定功率Max 214 W

下降时间 160 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 214W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-3-3

外形尺寸

封装 TO-3-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

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型号: FQA90N08
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:80V N沟道MOSFET 80V N-Channel MOSFET

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