FDB9406_F085

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FDB9406_F085中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

耗散功率 176 W

漏源极电压Vds 40 V

连续漏极电流Ids 110A

上升时间 48 ns

输入电容Ciss 7710pF @25VVds

下降时间 20 ns

耗散功率Max 176 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-263-3

外形尺寸

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买FDB9406_F085
型号: FDB9406_F085
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:N沟道功率MOSFET Trench® 40V , 110A , 1.8MI © N-Channel Power Trench® MOSFET 40V, 110A, 1.8mΩ
替代型号FDB9406_F085
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

FDB9406_F085

Fairchild 飞兆/仙童

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飞兆/仙童

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