FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDP3651U 晶体管, MOSFET, N沟道, 80 A, 100 V, 18 mohm, 10 V, 4.5 V
PowerTrench® N 通道 MOSFET，超过 60A， Semiconductor
### MOSFET ，Fairchild Semiconductor
Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 >250V 低电压 <250V 类型。 先进的硅技术提供更小的芯片尺寸，其整合到多种工业标准和耐热增强型封装中。
Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
额定电压DC 100 V
额定电流 80.0 A
额定功率 255 W
通道数 1
针脚数 3
漏源极电阻 18 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 255 W
阈值电压 4.5 V
输入电容 5.52 nF
栅电荷 69.0 nC
漏源极电压Vds 100 V
漏源击穿电压 100 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 80.0 A
输入电容Ciss 5522pF @25VVds
额定功率Max 255 W
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
工作结温Max 175 ℃
耗散功率Max 255000 mW
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
长度 10.67 mm
宽度 4.83 mm
高度 9.4 mm
封装 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
ECCN代码 EAR99