FDB10AN06A0参数规格_中文资料_数据手册PDF

FDB10AN06A0中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 60.0 V

额定电流 75.0 A

通道数 1

漏源极电阻 9.5 mΩ

极性 N-Channel

耗散功率 135 W

输入电容 1.84 nF

栅电荷 28.0 nC

漏源极电压Vds 60 V

漏源击穿电压 60 V

栅源击穿电压 ±20.0 V

连续漏极电流Ids 75.0 A

上升时间 128 ns

输入电容Ciss 1840pF @25VVds

额定功率Max 135 W

下降时间 36 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min 55 ℃

耗散功率Max 135W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-263-3

外形尺寸

长度 10.67 mm

宽度 9.65 mm

高度 4.83 mm

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买FDB10AN06A0

型号： FDB10AN06A0

制造商： Fairchild 飞兆/仙童

描述：N沟道PowerTrench MOSFET的60V ， 75A ， 10.5mз N-Channel PowerTrench MOSFET 60V, 75A, 10.5mз

替代型号FDB10AN06A0