FDP030N06B_F102中文资料参数规格
技术参数
极性 N-CH
耗散功率 205W Tc
阈值电压 4 V
漏源极电压Vds 60 V
连续漏极电流Ids 195A
上升时间 33 ns
输入电容Ciss 8030pF @30VVds
额定功率Max 205 W
下降时间 23 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 205W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
外形尺寸
长度 10.36 mm
宽度 4.672 mm
高度 15.215 mm
封装 TO-220-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
在线购买FDP030N06B_F102
型号： FDP030N06B_F102
制造商：
Fairchild
飞兆/仙童
描述：PowerTrench® N 通道 MOSFET，超过 60A，Fairchild Semiconductor ### MOSFET 晶体管，Fairchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。