N沟道MOSFET的PowerTrench 60V ， 174A ， 3.9mW N-Channel PowerTrench® MOSFET 60V, 174A, 3.9mW
N-Channel 60 V 120A Tc 231W Tc Surface Mount D²PAK TO-263
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N沟道 60V 120A
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MOSFET N-CH 60V 120A TO263
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MOSFET PT3 Low Qg 60V, 3.9Mohm
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Trans MOSFET N-CH 60V 174A 3-Pin2+Tab D2PAK Tube
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Trans MOSFET N-CH 60V 174A 3-Pin2+Tab D2PAK Tube
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MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
通道数 1
漏源极电阻 2.95 mΩ
极性 N-CH
耗散功率 231 W
漏源极电压Vds 60 V
漏源击穿电压 60 V
连续漏极电流Ids 174A
上升时间 40 ns
输入电容Ciss 8235pF @25VVds
额定功率Max 231 W
下降时间 24 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 231W Tc
安装方式 Surface Mount
封装 TO-263-3
长度 10.67 mm
宽度 9.65 mm
高度 4.83 mm
封装 TO-263-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
FDB039N06 Fairchild 飞兆/仙童 | 当前型号 | 当前型号 |
FQB25N33TM_F085 飞兆/仙童 | 类似代替 | FDB039N06和FQB25N33TM_F085的区别 |
FQB7P20TM_F085 飞兆/仙童 | 功能相似 | FDB039N06和FQB7P20TM_F085的区别 |
SUM110N06-3M9H-E3 威世 | 功能相似 | FDB039N06和SUM110N06-3M9H-E3的区别 |