FDMD8280参数规格_中文资料_数据手册PDF

FDMD8280概述

Trans MOSFET N-CH 80V 11A 12Pin PQFN EP T/R

Mosfet Array 2 N-Channel Dual 80V 11A 1W Surface Mount 12-Power3.3x5

得捷:
SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI

艾睿:
MOSFET PT7 80/20V Dual Nch PowerTrench MOSFET Learn More

Verical:
Trans MOSFET N-CH 80V 11A 12-Pin PQFN EP T/R

FDMD8280中文资料参数规格

技术参数

极性 N-CH

漏源极电压Vds 80 V

连续漏极电流Ids 11A

输入电容Ciss 3050pF @40VVds

额定功率Max 1 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 PowerWDFN-12

外形尺寸

封装 PowerWDFN-12

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买FDMD8280

型号： FDMD8280

制造商： Fairchild 飞兆/仙童

描述：Trans MOSFET N-CH 80V 11A 12Pin PQFN EP T/R