FDMD85100

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FDMD85100中文资料参数规格
技术参数

通道数 2

极性 N-CH

耗散功率 50 W

阈值电压 2 V, 2V

漏源极电压Vds 100 V

漏源击穿电压 ±100 V

连续漏极电流Ids 10.4A

输入电容Ciss 2230pF @50VVds

额定功率Max 2.2 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 2200 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 Power-33-8

外形尺寸

长度 3.3 mm

宽度 3.3 mm

高度 0.75 mm

封装 Power-33-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买FDMD85100
型号: FDMD85100
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:Trans MOSFET N-CH 48V 48A 8Pin PQFN EP T/R

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