FDMS2734中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 250 V
额定电流 14.0 A
漏源极电阻 0.122 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 2.5 W
阈值电压 3 V
输入电容 2.37 nF
栅电荷 42.0 nC
漏源极电压Vds 250 V
漏源击穿电压 250 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 14.0 A
上升时间 10 ns
输入电容Ciss 2365pF @100VVds
额定功率Max 2.5 W
下降时间 12 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 78 W
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 Power-56
外形尺寸
长度 5 mm
宽度 6 mm
高度 0.75 mm
封装 Power-56
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/06/15
海关信息
ECCN代码 EAR99
在线购买FDMS2734
型号： FDMS2734
制造商：
Fairchild
飞兆/仙童
描述：UltraFET® MOSFET，Fairchild Semiconductor UItraFET® Trench MOSFET 组合了在功率转换应用中实现基准效率的特性。 该设备可耐受雪崩模式中的高能量，且二极管展现出非常短的反向恢复时间和积累电荷。 为高频率时的效率、最低 RDS（接通）、低 ESR 和低总栅极电荷和 Miller 栅极电荷进行了优化。 应用：高频直流-直流转换器、开关调节器、电动机驱动器、低电压总线开关和电源管理。 ### MOSFET 晶体管，Fairchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。