FDB8832_F085参数规格_中文资料_数据手册PDF_引脚图-锐单商城

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FDB8832_F085中文资料参数规格

技术参数

极性 N-CH

耗散功率 300 W

漏源极电压Vds 30 V

连续漏极电流Ids 80A

输入电容Ciss 11400pF @15VVds

额定功率Max 300 W

耗散功率Max 300W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-263-3

外形尺寸

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准无铅

数据手册

在线购买FDB8832_F085

型号： FDB8832_F085

制造商： Fairchild 飞兆/仙童

描述：Trans MOSFET N-CH 30V 80A 3Pin2+Tab D2PAK T/R

替代型号FDB8832_F085

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Fairchild 飞兆/仙童

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