FJA4313RTU

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FJA4313RTU概述

NPN外延硅晶体管 NPN Epitaxial Silicon Transistor

NPN Epitaxial Silicon Transistor

Features

• High Current Capability: IC= 15A

• High Power Dissipation : 130watts

• High Frequency : 30MHz.

• High Voltage : VCEO=230V

• Wide S.O.A for reliable operation.

• Excellent Gain Linearity for low THD.

• Complement to 2SA1962/FJA4213.

• Thermal and electrical Spice models are available

• Same transistor is also available in:

\--TO264 package, 2SC5200/FJL4315 : 150 watts

\--TO220 package, FJP5200 : 80 watts

\--TO220F package, FJPF5200 : 50 watts

Applications

• High-Fidelity Audio Output Amplifier

• General Purpose Power Amplifier

FJA4313RTU中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 140 V

额定电流 10.0 A

极性 NPN

击穿电压集电极-发射极 250 V

集电极最大允许电流 17A

最小电流放大倍数hFE 55 @1A, 5V

额定功率Max 130 W

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-3-3

外形尺寸

封装 TO-3-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买FJA4313RTU
型号: FJA4313RTU
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:NPN外延硅晶体管 NPN Epitaxial Silicon Transistor
替代型号FJA4313RTU
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

FJA4313RTU

Fairchild 飞兆/仙童

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2SC5242RTU

飞兆/仙童

完全替代

FJA4313RTU和2SC5242RTU的区别

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