FCB11N60TM参数规格_中文资料_数据手册PDF

FCB11N60TM中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 600 V

额定电流 11.0 A

针脚数 3

漏源极电阻 0.32 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 125 W

阈值电压 5 V

漏源极电压Vds 600 V

漏源击穿电压 600 V

连续漏极电流Ids 11.0 A

上升时间 98 ns

输入电容Ciss 1490pF @25VVds

额定功率Max 125 W

下降时间 56 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 125W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-263-3

外形尺寸

长度 10.67 mm

宽度 9.65 mm

高度 4.83 mm

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买FCB11N60TM

型号： FCB11N60TM

制造商： Fairchild 飞兆/仙童

描述：FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FCB11N60TM 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 11 A, 600 V, 320 mohm, 10 V, 5 V

替代型号FCB11N60TM