PowerTrench® N 通道 MOSFET，超过 60A，Fairchild Semiconductor### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
N-Channel 40V 160A Tc 283W Tc Surface Mount TO-263-7
得捷:
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 40V 306A 7-Pin6+Tab D2PAK T/R
安富利:
This N-Channel MOSFET is produced using advance Power Trench® process that has been tailored to minimize the on-state resistance while maintaining superior switching performance.
Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 40V 306A 7-Pin6+Tab D2PAK T/R
Verical:
Trans MOSFET N-CH Si 40V 306A 7-Pin6+Tab D2PAK T/R
Win Source:
MOSFET N-CH 40V 160A D2PAK-7
DeviceMart:
MOSFET N-CH 40V 160A D2PAK-7
极性 N-CH
耗散功率 283 W
漏源极电压Vds 40 V
连续漏极电流Ids 306A
上升时间 14 ns
输入电容Ciss 11600pF @25VVds
额定功率Max 283 W
下降时间 33 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 283W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 7
封装 TO-263-7
长度 10.2 mm
宽度 9.4 mm
高度 4.7 mm
封装 TO-263-7
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free