FJAF4210OTU概述
Trans GP BJT PNP 140V 10A 3Pin3+Tab TO-3pF Rail
Bipolar BJT Transistor PNP 140 V 10 A 30MHz 80 W Through Hole TO-3PF
得捷:
POWER BIPOLAR TRANSISTOR, 10A, 1
艾睿:
Trans GP BJT PNP 140V 10A 3-Pin3+Tab TO-3PF Rail
Chip1Stop:
Trans GP BJT PNP 140V 10A 3-Pin3+Tab TO-3PF Rail
Verical:
Trans GP BJT PNP 140V 10A 3-Pin3+Tab TO-3PF Rail
Win Source:
TRANS PNP 140V 10A TO-3PF
FJAF4210OTU中文资料参数规格
技术参数
频率 30 MHz
额定电压DC -140 V
额定电流 -10.0 A
极性 PNP
耗散功率 80 W
击穿电压集电极-发射极 140 V
集电极最大允许电流 10A
最小电流放大倍数hFE 70 @3A, 4V
额定功率Max 80 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 80000 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-3
外形尺寸
高度 16.7 mm
封装 TO-3
物理参数
材质 Silicon
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
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