FDMD86100

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FDMD86100概述

Trans MOSFET N-CH 100V 10A 8Pin PQFN EP T/R

Mosfet Array 2 N-Channel Dual Common Source 100V 10A 2.2W Surface Mount 8-Power 5x6


得捷:
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR


艾睿:
MOSFET 100V Dual N-Channel PowerTrench MOSFET Learn More


Verical:
Trans MOSFET N-CH 100V 10A 8-Pin PQFN EP T/R


FDMD86100中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

漏源极电压Vds 100 V

连续漏极电流Ids 10A

输入电容Ciss 2060pF @50VVds

额定功率Max 2.2 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 PowerWDFN-8

外形尺寸

封装 PowerWDFN-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买FDMD86100
型号: FDMD86100
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:Trans MOSFET N-CH 100V 10A 8Pin PQFN EP T/R

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