FDB035AN06A0

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FDB035AN06A0概述

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDB035AN06A0  晶体管, MOSFET, N沟道, 80 A, 60 V, 0.0032 ohm, 10 V, 4 V

N-Channel 60V 22A Ta, 80A Tc 310W Tc Surface Mount D²PAK


欧时:
### PowerTrench® N 通道 MOSFET,超过 60A,Fairchild Semiconductor### MOSFET 晶体管,Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。


得捷:
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2


e络盟:
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDB035AN06A0  晶体管, MOSFET, N沟道, 80 A, 60 V, 0.0032 ohm, 10 V, 4 V


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 60V 22A Automotive 3-Pin2+Tab D2PAK T/R


富昌:
FDB035AN06A0 系列 60 V 3.5 mOhms N 沟道 PowerTrench® MOSFET - TO-263AB


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 60V 22A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 80A; 310W; D2PAK


Verical:
Trans MOSFET N-CH 60V 22A Automotive 3-Pin2+Tab D2PAK T/R


Newark:
# FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDB035AN06A0  MOSFET Transistor, N Channel, 80 A, 60 V, 0.0032 ohm, 10 V, 4 V


Win Source:
MOSFET N-CH 60V 80A TO-263AB


DeviceMart:
MOSFET N-CH 60V 80A TO-263AB


FDB035AN06A0中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 60.0 V

额定电流 80.0 A

通道数 1

针脚数 3

漏源极电阻 0.0032 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 310 W

阈值电压 4 V

输入电容 6.40 nF

栅电荷 95.0 nC

漏源极电压Vds 60 V

漏源击穿电压 60.0 V

栅源击穿电压 ±20.0 V

连续漏极电流Ids 80.0 A

上升时间 93.0 ns

输入电容Ciss 6400pF @25VVds

额定功率Max 310 W

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 310W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-263-3

外形尺寸

长度 10.67 mm

宽度 11.33 mm

高度 4.83 mm

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买FDB035AN06A0
型号: FDB035AN06A0
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDB035AN06A0  晶体管, MOSFET, N沟道, 80 A, 60 V, 0.0032 ohm, 10 V, 4 V
替代型号FDB035AN06A0
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

FDB035AN06A0

Fairchild 飞兆/仙童

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