FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDB035AN06A0 晶体管, MOSFET, N沟道, 80 A, 60 V, 0.0032 ohm, 10 V, 4 V
N-Channel 60V 22A Ta, 80A Tc 310W Tc Surface Mount D²PAK
欧时:
### PowerTrench® N 通道 MOSFET,超过 60A,Fairchild Semiconductor### MOSFET 晶体管,Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
得捷:
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2
e络盟:
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDB035AN06A0 晶体管, MOSFET, N沟道, 80 A, 60 V, 0.0032 ohm, 10 V, 4 V
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 60V 22A Automotive 3-Pin2+Tab D2PAK T/R
富昌:
FDB035AN06A0 系列 60 V 3.5 mOhms N 沟道 PowerTrench® MOSFET - TO-263AB
Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 60V 22A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R
TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 80A; 310W; D2PAK
Verical:
Trans MOSFET N-CH 60V 22A Automotive 3-Pin2+Tab D2PAK T/R
Newark:
# FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDB035AN06A0 MOSFET Transistor, N Channel, 80 A, 60 V, 0.0032 ohm, 10 V, 4 V
Win Source:
MOSFET N-CH 60V 80A TO-263AB
DeviceMart:
MOSFET N-CH 60V 80A TO-263AB
额定电压DC 60.0 V
额定电流 80.0 A
通道数 1
针脚数 3
漏源极电阻 0.0032 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 310 W
阈值电压 4 V
输入电容 6.40 nF
栅电荷 95.0 nC
漏源极电压Vds 60 V
漏源击穿电压 60.0 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 80.0 A
上升时间 93.0 ns
输入电容Ciss 6400pF @25VVds
额定功率Max 310 W
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 310W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-263-3
长度 10.67 mm
宽度 11.33 mm
高度 4.83 mm
封装 TO-263-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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