PNP外延硅晶体管 PNP Epitaxial Silicon Transistor
Bipolar BJT Transistor PNP 250 V 17 A 30MHz 130 W Through Hole TO-3P
得捷:
TRANS PNP 250V 17A TO3P
艾睿:
Trans GP BJT PNP 250V 17A 3-Pin3+Tab TO-3PN Tube
Verical:
Trans GP BJT PNP 250V 17A 130000mW 3-Pin3+Tab TO-3PN Rail
Win Source:
TRANS PNP 250V 17A TO-3PN
频率 30 MHz
额定电压DC -230 V
额定电流 -15.0 A
极性 PNP
耗散功率 130 W
击穿电压集电极-发射极 250 V
集电极最大允许电流 17A
最小电流放大倍数hFE 55 @1A, 5V
额定功率Max 130 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -50 ℃
耗散功率Max 130000 mW
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-3-3
高度 18.9 mm
封装 TO-3-3
材质 Silicon
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
FJA4213RTU Fairchild 飞兆/仙童 | 当前型号 | 当前型号 |
2SA1962RTU 飞兆/仙童 | 类似代替 | FJA4213RTU和2SA1962RTU的区别 |