FCPF190N65FL1

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FCPF190N65FL1中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

漏源极电阻 190 mΩ

极性 N-CH

耗散功率 39 W

阈值电压 5 V

漏源极电压Vds 650 V

漏源击穿电压 650 V

连续漏极电流Ids 20.6A

上升时间 11 ns

输入电容Ciss 3055pF @100VVds

下降时间 4.2 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 55 ℃

耗散功率Max 39W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10.36 mm

宽度 4.9 mm

高度 16.07 mm

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买FCPF190N65FL1
型号: FCPF190N65FL1
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:Trans MOSFET N-CH 650V 20.6A 3Pin TO-220F Tube

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